發(fā)布時間：2025-09-23 | 
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親愛的電子愛好者和工程師朋友們，今天我們來深入了解江西薩瑞微電子的爆款產(chǎn)品——S8050H三極管。
一、什么是S8050H？
S8050H是一款NPN型硅雙極型晶體管（BJT），屬于小信號晶體管類別。它是江西薩瑞微電子精心打造的高性能三極管，廣泛應(yīng)用于各類電子電路中。
結(jié)構(gòu)特點(diǎn)
S8050H 是一款NPN 外延硅晶體管，具有低電壓和高電流能力，是推挽放大和通用開關(guān)應(yīng)用的亮點(diǎn)。
S8050H三極管包含三層，其中一個 P 摻雜半導(dǎo)體層封裝在另外兩個 N 摻雜層之間。P摻雜層代表基極端，而其他兩層分別代表發(fā)射極和集電極。
S8050H三極管具有兩個 PN 結(jié)：正向偏置的發(fā)射極-基極結(jié)和反向偏置的集電極-基極結(jié)。
需要注意的是，S8050H 三極管必須在正向偏置模式下運(yùn)行才能獲得更好的性能。如果晶體管沒有正向偏置，則無論在基極端子上施加多少電壓，都不會有集電極電流。
當(dāng)在基極端施加電壓時，放大是一種簡單的方式，晶體管吸收小電流，然后用于控制其他端子的大電流。
二、S8050H三極管參數(shù)
S8050H三極管主要包含三個端子，即發(fā)射極、基極和集電極，用于與電子電路的外部連接，三個端子在摻雜濃度方面是不同的。
其中發(fā)射極是高度摻雜的，基極是輕摻雜的，而集電極是中摻雜的。前者控制電子數(shù)量，后者從基極收集電子數(shù)量。一個端子的小電流用于控制其它端子的大電流。
三、S8050H 的CAD 模型
S8050H三極管的封裝尺寸圖
四、S8050H 三極管特點(diǎn)
低電壓、大電流 NPN 晶體管
小信號晶體管
最大功率：0.3 W
最大直流電流增益 (hFE) 為 400
連續(xù)集電極電流 (IC) 為 800mA
基極-發(fā)射極電壓(VBE) 為 5V
集電極-發(fā)射極電壓 (VCE) 為 20V
集電極-基極電壓 (VCB) 為 30V
高 用于推挽配置 B 類放大器
SOT-23 封裝
五、S8050H工作原理講解
在 S8050H NPN 晶體管中，當(dāng)基極接地時，發(fā)射極和集電極等兩個端子都將反向偏置，當(dāng)向基極引腳提供信號時，它們將關(guān)閉（正向偏置）。
S8050H 三極管的最大增益值為 300，此值將決定放大能力，如果放大率很高，則將其用于放大。
但是，集電極電流的增益值將是 110，并且整個集電極端子的最大電流供應(yīng)是 800mA，因此我們無法通過該晶體管通過 800mA 以上的電流來控制不同的負(fù)載。一旦向必須限制在 5mA 的基極引腳提供電流供應(yīng)，晶體管就可以被偏置。
一旦該晶體管完全偏置，則它允許高達(dá) 800mA 的電流通過發(fā)射極和集電極端子提供，因此該階段稱為飽和區(qū)。VCE 或 VCB 上使用的典型電壓相應(yīng)為 20V 和 30V。
一旦在晶體管的基極端移除電流源，它將被關(guān)閉，因此這個階段稱為截止區(qū)域。
在S8050H NPN 晶體管中，電子是主要的電荷載流子，與空穴是主要電荷載流子的 PNP 晶體管不同
基極相對于發(fā)射極更正，集電極上的電壓也必須比基極更正。
兩個電流增益因素：共發(fā)射極電流增益和共基極電流增益對決定晶體管的特性起著至關(guān)重要的作用。
共發(fā)射極電流增益是集電極電流和基極電流之間的比率，這稱為貝塔，用 β表示，通常在 20 到 1000 之間，但標(biāo)準(zhǔn)值取為 200。
同樣，共基極電流增益是集電極電流和發(fā)射極電流之間的比率，它被稱為阿爾法，用α表示，其值主要在0.95到0.99之間，但大多數(shù)時候它的值被取為1。
六、S8050H 可以用什么型號替換？
1、S8050H 替代品
MMBT4401、MMBT2222A、SS8050、MMBT5551、M8050 2、S8050H對管型號 S8550H、SS8550 注意：替換時請仔細(xì)比對參數(shù)，確保符合電路要求。
江西薩瑞微的S8050H三極管，以其卓越性能和多樣化應(yīng)用，成為電子工程師的得力助手。無論您是在設(shè)計(jì)放大器、開關(guān)電路還是LED驅(qū)動，S8050H都將是您的理想之選。
