TOLL（Transistor Outline Leadless）封裝的MOSFET，由于其封裝形式具有小體積、低封裝電阻、低寄生電感、低熱阻等特點，已經(jīng)在戶外電源、家庭儲能電源、汽車啟動電源、光伏儲能電源等終端客戶得到廣泛使用。

SG29N11TL 工作原理

SG29N11TL 采用了我們獨有的SGTMOS（Super Grid Trench MOS）技術，結合了超級結和溝槽柵極的優(yōu)勢：

SGT MOS，即屏蔽柵溝槽MOS，是在傳統(tǒng)溝槽型MOS的基礎上發(fā)展而來的一種新型功率半導體器件。其基本原理與普通MOS相似，都是基于場效應晶體管（FET）的基本原理，通過柵極電壓控制溝道區(qū)域的導電性，從而實現(xiàn)電流的開關和調節(jié)。然而，SGT MOS在結構上進行了創(chuàng)新，通過引入屏蔽柵極技術，顯著提升了器件的性能和穩(wěn)定性，增加了單位面積的耐壓，降低了Rdson和Crss，使得開關損耗和導通損耗極大程度的減小。

儲能應用方案案例

太陽能（光伏面板+MPPT）

關鍵優(yōu)勢：

低RDS(on)減少導通損耗，提高MPPT效率

優(yōu)異的Qg特性允許高頻操作，減小磁性元件體積

110V耐壓為系統(tǒng)設計提供足夠裕度

實現(xiàn)效果：

MPPT效率達99.5%

轉換效率峰值98.2%

AC輸出(逆變+隔離DC-DC)

關鍵優(yōu)勢：

低RDS(on)和出色的開關特性maximizes system efficiency

優(yōu)異的Body Diode特性減少反向恢復損耗

卓越的熱性能簡化散熱設計，提高可靠性

實現(xiàn)效果：

DC-DC級效率達98.5%

逆變級效率達98%

雙向轉換效率峰值96.5%

DC輸出(非隔離DC-DC)

關鍵優(yōu)勢：

極低RDS(on)顯著提高系統(tǒng)效率

優(yōu)秀的開關特性允許高頻操作，減小輸出濾波需求

并聯(lián)能力強，thermal performance優(yōu)異

實現(xiàn)效果：

峰值效率達98.2%

功率密度達到52W/in3

瞬態(tài)響應時間<50μs for 50% load step

BMS充放電MOS與防護

關鍵優(yōu)勢：

低RDS(on)減少系統(tǒng)功耗，延長續(xù)航里程

優(yōu)異的雪崩能力和SOA特性提供可靠的過載保護

快速開關特性允許實現(xiàn)高精度電流控制和保護

實現(xiàn)效果：

系統(tǒng)效率提升3%

保護響應時間<5μs

電池組壽命延長20%

SG29N11TL 封裝尺寸圖

SG29N11TL MOSFET 特點

這些特點使SG29N11TL在儲能、光伏等領域具有廣泛的應用前景，能夠幫助設計師顯著提升系統(tǒng)性能和可靠性。

通過以上應用案例，我們可以清晰地看到SG29N11TL在儲能產(chǎn)品系統(tǒng)的各個關鍵環(huán)節(jié)都展現(xiàn)出了卓越的性能。

我們致力于為客戶的具體應用提供全面的技術支持。如果您在儲能產(chǎn)品設計中遇到任何挑戰(zhàn)，或者希望進一步優(yōu)化您的方案，歡迎隨時與我們聯(lián)系。讓我們攜手推動儲能技術的創(chuàng)新與進步！